أعلنت شركة سامسونج، اليوم الجمعة، عن تطوير ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية DDR5 DRAM، والتي تعد الأولى والأعلى سعة في الصناعة بسعة 32 جيجابت، وذلك باستخدام تقنية المعالجة من فئة 12 نانومتر.
ويأتي هذا الإنجاز بعد أن بدأت سامسونج الإنتاج الضخم لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية DDR5 DRAM بسعة 16 جيجابت من فئة 12 نانومتر في شهر مايو 2023.
ومن شأن ذلك أن يعزز من ريادة عملاقة التقنية الكورية الجنوبية، في تقنية ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية من الجيل التالي ويشير إلى الفصل التالي من الذواكر العالية السعة.
وتعتقد الشركة أن المنتج الجديد سيؤدي أيضًا دورًا مهمًا في تعاونها المستمر مع اللاعبين الرئيسيين الآخرين في الصناعة.
وتخطط سامسونج لمواصلة توسيع مجموعتها من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية العالية السعة لتلبية المتطلبات الحالية والمستقبلية لصناعة الحوسبة وتقنية المعلومات، ومن المقرر أن يبدأ الإنتاج الضخم لذاكرة الوصول العشوائي DDR5 DRAM الجديدة بسعة 32 جيجابت من فئة 12 نانومتر بحلول نهاية هذا العام.
وبعد أن طورت سامسونج أول ذاكرة وصول عشوائي ديناميكية بسعة 64 كيلوبت في عام 1983، قالت الشركة إنها نجحت الآن في تعزيز سعة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية الخاصة بها بعامل قدره 500,000 على مدار الأربعين عامًا الماضية.
ويتميز أحدث منتج ذاكرة من سامسونج، الذي طُوِّر باستخدام عمليات وتقنيات متطورة لزيادة كثافة التكامل وتحسين التصميم، بأعلى سعة في الصناعة لشريحة واحدة من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية، ويوفر ضعف سعة ذاكرة الوصول العشوائي DDR5 DRAM بسعة 16 جيجابت بحجم الحزمة نفسه.
من جهته، قال سانج جون هوانج، نائب الرئيس التنفيذي لمنتجات وتقنية DRAM في شركة سامسونج إلكترونيكس، إنه من خلال ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية بسعة 32 جيجابت من فئة 12 نانومتر، حصلنا على حل من شأنه تمكين وحدات ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية بسعة تصل إلى 1 تيرابايت، مما يتيح لنا أن نكون في وضع مثالي لتلبية الحاجة المتزايدة لذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية العالية السعة في عصر الذكاء الاصطناعي والبيانات الضخمة.
وأضاف هوانج في منشور على مدونة الشركة: «سنواصل تطوير حلول DRAM من خلال تقنيات المعالجة والتصميم المتميزة لكسر حدود تقنية الذاكرة».
