تعتزم شركة “سامسونج” اعتماد تقنيات إنتاج جديدة باسم (MR-MUF)، وهي التقنية التي تتفوق بها شركة SK Hynix على جميع منافسيها في صناعة رقاقات ذاكرة HBM.
ونقلت “رويترز” عن مصادرها، أن سامسونج تتخذ هذه الخطوة بسبب ضعف إنتاج رقاقات ذاكرة عرض النطاق الترددي العالي (HBM).
ونوه التقرير إلى أن سامسونج بصدد طلب معدات جديدة متعلقة بتقنية MR-MUF.
واعتبر التقرير أن واحدًا من أسباب تأخر سامسونج، عن الشركات الصانعة المنافسة، هو تمسكها بتقنية تصنيع الرقاقات (NCF) مما أدى إلى بعض المشكلات في عملية الإنتاج.
هذا في الوقت الذي انتقلت فيه شركة SK Hynix إلى طريقة إنتاج أحدث تعتمد على تقنية (MR-MUF) لمعالجة نقاط ضعف تقنية NCF.
وقال مصدر مجهول لوكالة رويترز: كان على سامسونج أن تفعل شيئًا ما لتعزيز إنتاج رقاقات ذاكرة HBM الخاصة بها.
وأشار المصدر إلى أن اعتماد سامسونج على تقنية MR-MUF يعد دليلًا على أن تطورها مرهون بغيرها، إذ ستضطر إلى اتباع تقنية ابتكرتها شركة SK Hynix المنافسة لها”.
وتشير التقديرات إلى أن عائد إنتاج رقاقات ذاكرة HBM3 لشركة سامسونج بلغ نسبة ضعيفة تتراوح بين 10% و 20% فقط، في حين حققت منافستها الكورية SK Hynix نسبة إنتاج تصل إلى 70%.
ورغم نفي شركة سامسونج، اﻻنتقال إلى تقنية MR-MUF في إنتاج رقاقات ذاكرة HBM، إلا أن المصادر تؤكد أن العملاق الكوري يخطط لاستخدام تقنيتي NCF و MR-MUF في إنتاج رقاقات ذاكرة HBM من الجيل الجديد